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苏州晶方半导体 · JFS-5000
JFS-5000紫外臭氧去胶机采用185nm+254nm双波长紫外灯与臭氧协同作用，在常温常压下即可高效去除电子束光刻胶（如PMMA、ZEP）。无需真空系统，操作简便，特别适合小批量研发和教学场景。支持最大6英寸晶圆，去胶速率约200 nm/min，对衬底无物理损伤。
低成本；易操作；无真空需求；衬底友好
该设备可用于去除光刻胶的同时清洗有机污染物。；JFS-5000的臭氧发生器设计借鉴了家用空气净化器技术。
上海微电子装备 · PRS-100
PRS-100光刻胶去胶系统采用电感耦合等离子体（ICP）与红外加热复合技术，支持4英寸至12英寸晶圆。特别优化了对高分辨率电子束光刻胶（如HSQ、ma-N 2400）的去胶效果，去胶后表面粗糙度<0.5 nm。配备闭环温度控制和实时压力监测，适用于先进逻辑和存储芯片工艺。
高精度温控；大尺寸兼容；工艺协同；低粗糙度
PRS-100的温控系统精度相当于高端恒温培养箱。；该设备曾用于国产28nm工艺节点的光刻胶去除验证。
北方华创 · NMC-2000
NMC-2000等离子体去胶机专为8英寸及以下晶圆设计，采用远程等离子体源（RPS）技术，有效减少离子轰击损伤。支持多种光刻胶（包括高剂量离子注入胶）去除，工艺温度低（<150°C），兼容金属及化合物半导体衬底。配备多腔体模块化设计，可集成到自动化产线。
高产能；低颗粒；国产化率>90%；快速交付
NMC-2000的远程等离子体源设计灵感来源于航天器表面处理技术。；该设备在2023年上海进博会上作为国产半导体设备标杆展出。
中科科仪 · ZK-3000
ZK-3000型电子束光刻胶去胶机采用高密度氧等离子体与紫外光辅助协同技术，可高效去除电子束光刻胶（如PMMA、ZEP、HSQ等），同时避免衬底损伤。支持4英寸至8英寸晶圆，配备自动终点检测和程序化工艺控制，适用于MEMS、量子器件和先进封装工艺。
高均匀性；低损伤；国产替代；工艺可定制
该设备曾用于嫦娥五号月壤样品制备中的光刻胶去除。；中科科仪去胶机累计出货超过500台，覆盖国内80%以上微纳加工平台。